发明名称 |
一种太阳电池用铜铟硒硫薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种非真空的湿化学法制备CuIn(Se,S)2薄膜的方法,包括如下步骤:(a)前躯体墨水制备(b)前躯体薄膜制备(c)干燥(d)退火处理。本发明所提供的铜铟硫薄膜制备方法,与传统的高真空气相法相比,其工艺简单,成本低,可重复性强,易实现大规模生产,原料物化性质稳定安全性好,原料利用率高,可促进铜铟硒硫薄膜太阳能电池产业化快速发展。 |
申请公布号 |
CN102683497A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210166794.X |
申请日期 |
2012.05.28 |
申请人 |
天津师范大学 |
发明人 |
孙玉绣;杜桂香 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I;C03C17/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
天津市杰盈专利代理有限公司 12207 |
代理人 |
朱红星 |
主权项 |
一种太阳电池用铜铟硒硫薄膜的制备方法,其特征在于按如下的步骤进行:a)前躯体墨水制备:将含Cu、含In、含S的化合物,按照Cu:In:S摩尔比为4‑4.8:3:9‑15,溶入适量吡啶溶剂中,加热至65‑80 ℃,搅拌8‑15 min,得到蓝黑色前躯体墨水;b)前躯体薄膜制备:将步骤a中所述墨水利用旋涂的方法,在钠钙玻璃Mo衬底上涂前躯体薄膜,反复旋涂,可制备出500‑2000 nm厚度的薄膜;c)干燥:将步骤b所制备的前躯体薄膜,在80 ℃下干燥 1‑5 min,然后再接着采用1000‑1500 r/min进行旋涂,干燥处理;d)退火处理:将步骤c干燥后的前躯体薄膜,进行硒化退火处理形成铜铟硒硫薄膜。 |
地址 |
300387 天津市西青区宾水西道393号 |