发明名称 微麦克风读出电路及读出方法
摘要 本发明涉及有源电阻的传感器读出电路与其读出方法。为实现微麦克风的集成化,本发明采取的技术方案是,微麦克风读出电路及读出方法:当Vin处的电压大于500mV时,使PMOS管P1与NMOS管N1均导通,电荷从PMOS管P1经过NMOS管N1迅速释放到地,当Vin处的电压降低到500mV以下的时候,使PMOS管P1工作在亚阈值区,使NMOS管N1工作在线性区,电荷释放的速度有所减慢,当Vin处的电压降低到250mV以下得时候,此时的PMOS管P1为一个阻值很大的电阻,用来缓慢释放电荷。本发明主要应用于微麦克风设计制造。
申请公布号 CN102685641A 申请公布日期 2012.09.19
申请号 CN201210163510.1 申请日期 2012.05.22
申请人 天津大学 发明人 徐江涛;于海明;高静;史再峰;姚素英;陈思海
分类号 H04R3/00(2006.01)I 主分类号 H04R3/00(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 刘国威
主权项 一种微麦克风读出电路,其特征是,包括MEMS电容,前置放大器,电荷泵,带隙基准,放大器,滤波器,电荷泵给MEMS电容提供电荷,还包括有电荷释放装置,电荷释放装置的Z1、Z2、Z3端分别依次对应连接前置放大器的输入端、MEMS电容输出、电荷泵的输出;Z1、Z2端之间连接有一个电阻,Z1、Z2端分别各自连接一个二极管负极,二极管正极接地;两个PMOS管P1、P2栅极相连并接地,漏极相连并连接到NMOS管N1的源极,PMOS管P1源极接Z2端,PMOS管P2源极接PMOS管P3栅极,PMOS管P3源极、漏极通过短接电阻相连,PMOS管P3源极接Z3端;NMOS管N1的漏极接地,NMOS管N1的栅极由钳位电路给出固定直流电压。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号