| 发明名称 | MEMS元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及MEMS元件及其制造方法。本发明的一方面的MEMS元件包括：第一电极，其被设置在基底上；第二电极，其被设置在所述第一电极上方并被驱动朝向所述第一电极；锚件，其被设置在所述基底上；梁，其将所述第二电极支撑在半空中，所述梁的一端被连接到所述锚件，并且所述梁包括设置在其沿宽度方向的端部处的侧壁部分，所述侧壁部分具有向下的突起部。 | ||
| 申请公布号 | CN101811656B | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201010121487.0 | 申请日期 | 2010.02.24 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 斋藤友博 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 一种MEMS元件，包括：第一电极，其被设置在基底上；第二电极，其被设置在所述第一电极上方并被驱动朝向所述第一电极；锚件，其被设置在所述基底上；梁，其将所述第二电极支撑在半空中，所述梁的一端被连接到所述锚件，并且所述梁包括设置在沿其宽度方向的端部处的侧壁部分，所述侧壁部分具有向下的突起部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||