发明名称 |
一次性可编程器件以及集成电路 |
摘要 |
本发明提供一次性可编程器件以及集成电路。本发明的一次性可编程器件包括:第一PMOS器件和右边的第二PMOS器件;其中第一PMOS器件的第一栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第一栅极多晶硅依次向外布置的第一主侧墙隔离层、第一主偏移侧墙、第二主侧墙隔离层以及第二主侧墙组成,第二PMOS器件的第二栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第二栅极多晶硅依次向外布置的第一次侧墙隔离层、第一次偏移侧墙、第二次侧墙隔离层以及第二次侧墙组成。第一PMOS器件的栅极的侧壁多晶硅、第一主侧墙,第一主偏移侧墙,第二主侧墙隔离层以及第二主侧墙上覆盖了硅化物阻挡层。第二PMOS器件的栅极多晶硅、第一侧墙隔离层、第一偏移侧墙、第二侧墙隔离层和第二侧墙上没有覆盖硅化物阻挡层。 |
申请公布号 |
CN102683351A |
申请公布日期 |
2012.09.19 |
申请号 |
CN201210169827.6 |
申请日期 |
2012.05.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
肖海波 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种一次性可编程器件,其特征在于包括:第一PMOS器件和右边的第二PMOS器件;其中,第一PMOS器件的第一栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第一栅极多晶硅依次向外布置的第一主侧墙隔离层、第一主偏移侧墙、第二主侧墙隔离层以及第二主侧墙组成,第二PMOS器件的第二栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第二栅极多晶硅依次向外布置的第一次侧墙隔离层、第一次偏移侧墙、第二次侧墙隔离层以及第二次侧墙组成。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |