| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，即使使用ZnO半导体膜，并且对于源电极和漏电极使用其中添加n型或p型杂质的ZnO膜也不会产生缺陷或故障。该半导体器件包含：通过使用氧化硅膜或氧氮化硅膜在栅电极之上形成的栅绝缘膜、在栅绝缘膜之上的Al膜或Al合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型杂质的ZnO膜、以及在其中添加n型或p型杂质的ZnO膜和栅绝缘膜之上的ZnO半导体膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101577293B | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN200910134884.9 | 申请日期 | 2006.11.13 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 秋元健吾 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在衬底之上的绝缘膜；在所述绝缘膜之上的金属膜；在所述金属膜上并与所述金属膜接触的p型或n型透明导电膜，所述p型或n型透明导电膜包含氧化锌；在所述p型或n型透明导电膜上并与所述p型或n型透明导电膜接触的包含氧化锌的半导体膜；在所述半导体膜之上的栅绝缘膜；以及在所述栅绝缘膜之上的栅电极，其中在所述金属膜和所述p型或n型透明导电膜之间存在钛膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||