一维纳米材料植入金属电极表面的方法

摘要

一种纳米材料技术领域的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，首先对一维纳米材料进行包含切短、纯化、表面改性的预处理；然后将预处理后的一维纳米材料与聚合物介质混合后进行研磨；并将研磨后的混合体进行除气处理；再将处理后的一维纳米材料和聚合物介质的混合体流平在基片上；并烘胶固化复合薄膜，并经磨平抛光后使用刻蚀液对整平后的复合薄膜表层进行化学刻蚀；最后在刻蚀过的复合薄膜上依次进行沉积处理和电镀处理，采用刻蚀剂释放聚合物介质，获得一维纳米材料植入金属电极表面。本发明能使一维纳米材料一部分根植于在金属中，与金属形成牢固结合，其余部分暴露在外，最终使一维纳米材料形成植入并均匀分布在金属表层的植布效果。

主权项

一种一维纳米材料植入金属电极表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步、对一维纳米材料进行包含切短、纯化、表面改性的预处理；第二步、将预处理后的一维纳米材料与光刻胶混合后进行研磨；第三步、将研磨后的混合体进行除气处理；第四步、将处理后的一维纳米材料和光刻胶的混合体流平在基片上；第五步、烘胶固化复合薄膜，并经磨平抛光后使用刻蚀液对整平后的复合薄膜表层进行化学刻蚀；第六步、在刻蚀过的复合薄膜上依次进行沉积处理和电镀处理；第七步、采用刻蚀剂释放光刻胶，获得一维纳米材料植入金属电极表面；所述的沉积处理是指：沉积30nmCr‑50nmCu的金属种子层；所述的电镀处理是指：在金属种子层上电镀一层10‑50微米的基体金属层，该基体金属层具体为Ni、Cu、Zn、Al易电镀的金属元素。