用于基于自旋扭矩的存储器装置的读取方向

摘要

一种基于自旋扭矩的存储器装置包括：在阵列中的多个磁存储基元，每一个磁存储基元包括至少一个磁隧道结（MTJ）元件；以及与所述多个磁存储基元对应的至少一条位线和至少一条位补线。通过沿第一方向或第二方向驱动写入电流以将每一个相应的MTJ元件编程为低电阻状态或高电阻状态而写入所述相应的MTJ元件，并且，通过沿倾向于将每一个相应的MTJ元件干扰成高电阻状态的方向驱动读取电流通过所述相应的MTJ元件而读取所述相应的MTJ元件。

主权项

一种基于自旋扭矩的存储器装置，包括：在阵列中的多个磁存储基元，每一个磁存储基元包括至少一个磁隧道结（MTJ）元件；以及与所述多个磁存储基元对应的至少一条位线和至少一条位补线，其中，通过沿第一方向或第二方向驱动写入电流以将每一个相应的MTJ元件编程为低电阻状态或高电阻状态而写入所述相应的MTJ元件，并且，通过沿倾向于将每一个相应的MTJ元件干扰成高电阻状态的方向驱动读取电流通过所述相应的MTJ元件而读取所述相应的MTJ元件。