| 发明名称 | 适于高温操作的相变存储器器件 | ||
| 摘要 | 一种相变存储器单元，包括：底部电极；顶部电极，与底部电极分开；以及生长主导型相变材料，沉积于底部电极和顶部电极之间并且接触底部电极和顶部电极并且在其侧壁处由绝缘材料包围。重置状态的相变存储器单元仅包括在相变存储器单元的有效体积内的生长主导型相变材料的非晶相。 | ||
| 申请公布号 | CN102686770A | 申请公布日期 | 2012.09.19 |
| 申请号 | CN201080050550.4 | 申请日期 | 2010.11.10 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | M·J·布莱特韦斯;C·H·拉姆;B·拉简德兰;S·劳克斯;A·G·施罗特;D·科雷布斯 |
| 分类号 | C23C16/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;董典红 |
| 主权项 | 一种相变存储器单元，包括：底部电极；与所述底部电极分开的顶部电极；生长主导型相变材料，布置于所述底部电极和所述顶部电极之间并且接触所述底部电极和所述顶部电极，并且在其侧壁处由绝缘材料包围，在重置状态的所述相变存储器单元仅包括在所述相变存储器单元的有效体积内的所述生长主导型相变材料的非晶相。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||