| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de traitement d'une structure de type semi-conducteur sur isolant comprenant les étapes suivantes : (i) formation, à la surface de la couche mince (3), d'un masque (4) définissant des régions (3a) de la couche mince dites exposées, et des régions (3b) couvertes par le masque, (ii) application d'un traitement thermique incitant au moins une partie de l'oxygène de la couche (2) d'oxyde ou d'oxynitrure à diffuser à travers les régions exposées (3a). Avant ou pendant l'étape (ii) on forme sur les régions exposées (3a) une couche (5) de nitrure ou d'oxynitrure du matériau semi-conducteur de la couche mince (3), l'épaisseur de ladite couche (5) étant telle que le ratio entre la vitesse de diffusion de l'oxygène à travers les régions exposées (3a) et à travers les régions (3b) recouvertes par le masque (4) soit supérieur à 2.</p> |
