发明名称 沉积膜形成装置
摘要 一种沉积膜形成装置,具有:腔室,第一电极,其位于该腔室内,第二电极,其位于腔室内,且与第一电极隔开规定间隔;第二电极具有:电极基体,多个电极板,它们配置在该电极基体上;该电极板具有:第一供给部,其将第一原料气体供给至第一电极和第二电极之间的空间,第二供给部,其将第二原料气体供给至空间,第一供给路径,其与第一供给部相连接,用于导入第一原料气体,第二供给路径,其与第二供给部相连接,用于导入第二原料气体;电极基体具有:加热单元,其对第一原料气体进行加热,第一导入路径,其将第一原料气体导入至第一供给路径,第二导入路径,其将第二原料气体导入至第二供给路径;第二供给路径具有:干流部,其从第二导入路径导入第二原料气体,且在该干流部上未设有第二供给部,多个支流部,它们从该干流部导入第二原料气体,且在这些支流部上设有第二供给部;用于连接第二导入路径和干流部的连接部,位于相邻的电极板的相邻部位。
申请公布号 CN102668032A 申请公布日期 2012.09.12
申请号 CN201080051961.5 申请日期 2010.11.22
申请人 京瓷株式会社 发明人 伊藤宪和;新乐浩一郎;稻叶真一郎
分类号 H01L21/205(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 聂宁乐;向勇
主权项 一种沉积膜形成装置,具有:腔室,第一电极,其位于该腔室内,第二电极,其位于所述腔室内,且与所述第一电极隔开规定间隔;该沉积膜形成装置的特征在于,所述第二电极具有:电极基体,多个电极板,它们配置在该电极基体上;该电极板具有:第一供给部,其将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间,第二供给部,其将第二原料气体供给至所述空间,第一供给路径,其与所述第一供给部相连接,用于导入所述第一原料气体,第二供给路径,其与所述第二供给部相连接,用于导入所述第二原料气体;所述电极基体具有:加热单元,其对所述第一原料气体进行加热,第一导入路径,其将所述第一原料气体导入至所述第一供给路径,第二导入路径,其将所述第二原料气体导入至所述第二供给路径;所述第二供给路径具有:干流部,其从所述第二导入路径导入所述第二原料气体,且在该干流部上未设有所述第二供给部,多个支流部,它们从该干流部导入所述第二原料气体,且在这些支流部上设有所述第二供给部;所述第二导入路径和所述干流部的连接部,位于相邻的所述电极板的相邻部位。
地址 日本国京都府