发明名称 |
各向异性导电构件 |
摘要 |
本发明提供一种各向异性导电构件,所述各向异性导电构件包含绝缘基材,所述绝缘基材具有贯通微孔和导电通路,所述导电通路通过用导电材料填充贯通微孔形成,彼此绝缘,并且在所述绝缘基材的厚度方向上贯通所述绝缘基材,所述导电通路的每一个的一端暴露在所述绝缘基材的一侧上,所述导电通路的每一个的另一端暴露在所述绝缘基材的另一侧上。该绝缘基材是由铝基板获得的阳极氧化膜,并且所述铝基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等价圆直径至多2μm的金属间化合物。该各向异性导电构件显著地增加了所设置的导电通路的密度,并且抑制了不具有导电通路的区域的形成,并且可以将其用作用于电子部件的电连接构件或检查连接器。 |
申请公布号 |
CN102664324A |
申请公布日期 |
2012.09.12 |
申请号 |
CN201110286748.9 |
申请日期 |
2011.09.23 |
申请人 |
富士胶片株式会社 |
发明人 |
山下广祐;堀田吉则;上杉彰男 |
分类号 |
H01R13/46(2006.01)I;H01R13/02(2006.01)I;H01R43/00(2006.01)I;H01R12/71(2011.01)I;H01R33/74(2006.01)I |
主分类号 |
H01R13/46(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
陈平 |
主权项 |
一种各向异性导电构件,所述各向异性导电构件包括:绝缘基材,所述绝缘基材具有贯通微孔和多个导电通路,所述导电通路通过用导电材料填充所述贯通微孔形成,彼此绝缘,并且在所述绝缘基材的厚度方向上贯通所述绝缘基材,所述导电通路的每一个的一端暴露在所述绝缘基材的一侧上,所述导电通路的每一个的另一端暴露在所述绝缘基材的另一侧上,其中所述绝缘基材是由铝基板获得的阳极氧化膜,并且所述铝基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等价圆直径至多2μm的金属间化合物。 |
地址 |
日本国东京都 |