发明名称 宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜及其制备方法
摘要 一种薄膜太阳电池用宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。该方法利用对沉积薄膜工艺过程的有效调控,实现宽光谱陷光ZnO薄膜的制备。首先在衬底上沉积ZnO薄膜,经过湿法腐蚀工艺处理后得到具有对长波光起陷光作用的大“弹坑状”的陷光绒面层;随后在其上再次生长ZnO薄膜,再经过湿法腐蚀工艺处理后得到对短波光起陷光作用的兼有小“弹坑状”的陷光绒面层,最后形成具有宽光谱陷光的氧化锌透明导电薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体,如ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、ZnO:Mo、ZnO:W,n型半导体材料,可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。
申请公布号 CN102664198A 申请公布日期 2012.09.12
申请号 CN201210148419.2 申请日期 2012.05.15
申请人 南开大学 发明人 张晓丹;王延峰;赵颖;黄茜;魏长春
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人 侯力
主权项 一种薄膜太阳电池用宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜,其特征在于该导电薄膜依次包括:衬底层、对入射的长波长光起陷光作用的大“弹坑状”的陷光绒面层简称长波长陷光绒面层,以及对入射的短波长光起陷光作用的小“弹坑状”的陷光绒面层简称短波长陷光绒面层;长波长陷光绒面层:是在衬底层上一次沉积和一次湿法腐蚀处理后得到的具有大“弹坑状”的陷光ZnO薄膜,所述的大“弹坑状”为微米级尺寸;短波长陷光绒面层:是在大“弹坑状”的散射层上二次沉积和二次湿法腐蚀处理后得到的小“弹坑状”的陷光ZnO薄膜,所述的小“弹坑状”为纳米级尺寸。
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