发明名称 |
薄膜电阻结构及其制造方法 |
摘要 |
一种薄膜电阻结构,至少包括:一基材,和形成于基材上之一复合型薄膜电阻。复合型薄膜电阻系藉由具有电阻温度系数(TCR)为负值的半导体金属铜或/及镍氧化物及电阻温度系数为正值的导电金属材分散相相混合所构成。俾在提升薄膜电阻片电阻值至大于1000Ω/□的同时,仍可有效确保电阻温度系数值小于200ppm/℃。 |
申请公布号 |
TWI372403 |
申请公布日期 |
2012.09.11 |
申请号 |
TW096132339 |
申请日期 |
2007.08.30 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
陈友忠;李鸿坤;翁荣洲 |
分类号 |
H01C7/06 |
主分类号 |
H01C7/06 |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |