发明名称 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法
摘要 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法,步骤如下:在玻璃衬底正面上沉积阻挡层;在阻挡层上沉积晶化前驱物;在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层;用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面,晶化完成后形成多晶硅表面;在多晶硅表面旋涂一层光刻胶;通过湿法刻蚀的方法,用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层;将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是:可有效提高激光晶化多晶硅的性能,且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施,不会对形成的多晶硅造成任何影响;所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等,具有重要的实用价值。
申请公布号 CN101894744B 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN201010197397.X 申请日期 2010.06.11
申请人 南开大学 发明人 李娟;尹春建;熊绍珍;杨明;吴春亚;孟志国
分类号 H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I 主分类号 H01L21/20(2006.01)I
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人 侯力
主权项 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤:1)、在玻璃衬底正面上沉积阻挡层;2)、在上述阻挡层上沉积晶化前驱物;3)、在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层;4)、用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面,晶化完成后形成多晶硅表面;5)、在上述多晶硅表面旋涂一层光刻胶;6)、通过湿法刻蚀的方法,去除衬底背面的非晶硅保温层;7)、将样品浸入去胶剂10分钟,去掉多晶硅表面的光刻胶。
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