发明名称 |
一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法 |
摘要 |
一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法,步骤如下:在玻璃衬底正面上沉积阻挡层;在阻挡层上沉积晶化前驱物;在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层;用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面,晶化完成后形成多晶硅表面;在多晶硅表面旋涂一层光刻胶;通过湿法刻蚀的方法,用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层;将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是:可有效提高激光晶化多晶硅的性能,且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施,不会对形成的多晶硅造成任何影响;所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等,具有重要的实用价值。 |
申请公布号 |
CN101894744B |
申请公布日期 |
2012.09.05 |
申请号 |
CN201010197397.X |
申请日期 |
2010.06.11 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
李娟;尹春建;熊绍珍;杨明;吴春亚;孟志国 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法,其特征在于包括如下步骤:1)、在玻璃衬底正面上沉积阻挡层;2)、在上述阻挡层上沉积晶化前驱物;3)、在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层;4)、用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面,晶化完成后形成多晶硅表面;5)、在上述多晶硅表面旋涂一层光刻胶;6)、通过湿法刻蚀的方法,去除衬底背面的非晶硅保温层;7)、将样品浸入去胶剂10分钟,去掉多晶硅表面的光刻胶。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |