发明名称 正负离子发生装置
摘要 一种正负离子发生装置,包括振荡信号产生电路、升压变压器和高压整流电路;振荡信号产生电路输入端外接电源;升压变压器初级接振荡信号产生电路的振荡信号输出端;高压整流电路输入端接升压变压器的次级;所述高压整流电路的输出端分别设有负高压放电极和正高压放电极;振荡信号产生电路包括可控硅,所述可控硅的触发角与电源之间设有限流电阻,振荡信号产生电路内设有与可控硅并联的二极管;所述高压整流电路与负高压放电极和正高压放电极之间分别设有高压硅堆、高压电容和电阻。有益效果:1、可以同时生产正负离子,提高了杀菌效率;2、通过一个限流电阻进行限流和触发可控硅,结构简单,降低了成本;3、去除变压器初次极之间的耦合干扰。
申请公布号 CN202423830U 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN201220024227.6 申请日期 2012.01.19
申请人 镇江汉邦科技有限公司 发明人 潘银汉;杨飞;周琪
分类号 H01T23/00(2006.01)I 主分类号 H01T23/00(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种正负离子发生装置, 包括振荡信号产生电路(1)、升压变压器(2)和高压整流电路(3);振荡信号产生电路(1)输入端外接电源;升压变压器(2)初级接振荡信号产生电路(1)的振荡信号输出端;高压整流电路(3)输入端接升压变压器(2)的次级;其特征在于:所述高压整流电路(3)的输出端分别设有负高压放电极(4)和正高压放电极(5);振荡信号产生电路(1)包括可控硅(6),所述可控硅(6)的触发角与电源之间设有限流电阻(7),振荡信号产生电路(1)内设有与可控硅(6)并联的二极管(8);所述高压整流电路(3)与负高压放电极(4)和正高压放电极(5)之间分别设有高压硅堆(9)、高压电容(10)和电阻(11)。
地址 212005 江苏省镇江市润州区民营开发区润兴路