发明名称 发射辐射的半导体器件
摘要 说明了一种发射辐射的半导体器件,具有半导体本体(1),该半导体本体(1)具有活性层(3),所述活性层(3)在运行中在主辐射方向(13)上发射第一波长λ1的电磁辐射;以及具有发光转换层(5),其将所发射辐射的至少一部分转换成第二波长λ2的辐射,第二波长λ2大于第一波长λ1。在主辐射方向(13)上跟随活性层(3)之后的是功能层(6),该功能层(6)用于改善所发射辐射的辐射耦合输出、颜色混合和/或角度依赖性,其中功能层(6)包含玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷或蓝宝石。
申请公布号 CN102656713A 申请公布日期 2012.09.05
申请号 CN201080058843.7 申请日期 2010.12.13
申请人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发明人 K.贝格内克;M.阿尔斯泰特;U.利波尔德
分类号 H01L33/50(2006.01)I;H01L33/58(2006.01)I 主分类号 H01L33/50(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 杜荔南;卢江
主权项 一种发射辐射的半导体器件,具有-半导体本体(1),其具有活性层(3),所述活性层(3)在运行中在主辐射方向(13)上发射第一波长λ1的电磁辐射,-发光转换层(5),其将所发射辐射的至少一部分转换成第二波长λ2的辐射,第二波长λ2大于第一波长λ1,以及-功能层(6),其用于改善所发射辐射的辐射耦合输出、颜色混合和/或角度依赖性,其中功能层(6)在主辐射方向(13)上跟随在活性层(3)之后并且包含玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷或蓝宝石。
地址 德国雷根斯堡