摘要 |
一种静电放电保护电路,其包括第一LDNMOS电晶体、第二LDNMOS电晶体、第一电阻及闸极驱动电阻。第一LDNMOS电晶体的汲极作为静电输入端,而P型基体与源极相接,且第一LDNMOS电晶体依据耦合电压讯号决定是否导通。第二LDNMOS电晶体的汲极连接第一LDNMOS电晶体的汲极,且其P型基体连接第一LDNMOS电晶体的源极,而其闸极连接共同接地电位。第一电阻之其中一端连接第一LDNMOS电晶体的源极,而另一端连接共同接地电位。闸极驱动电阻之其中一端连接共同接地电位,而另一端则连接第二LDNMOS电晶体的源极,以产生耦合电压讯号,并将上述之耦合电压讯号耦合到第一LDNMOS电晶体的闸极。 |