非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明系推进非挥发性半导体记忆装置之微细化、大容量化。本发明之快闪记忆体之记忆单元MC系由场效型电晶体所构成，该场效型电晶体含有：第一闸极绝缘膜5，其形成于p型井3之表面；选择闸极7，其形成于第一闸极绝缘膜5上，侧面以及上面被氧化矽膜(第一绝缘膜)6覆盖；浮动闸极8，其于选择闸极7之两侧形成侧壁状，经由氧化矽膜6而与选择闸极7电性分离；第二闸极绝缘膜9，其以覆盖氧化矽膜6以及浮动闸极8之各表面之方式所形成；及控制闸极10，其形成于第二闸极绝缘膜9之上部。