| 发明名称 | 一种微波冶金透波陶瓷材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种微波冶金透波陶瓷材料的配方和制备方法。该材料由下列重量配比的原料构成：MgO∶Al2O3∶SiO2∶纳米SiO2＝12～16％∶33～37％∶21～43％∶8～30％，总量为100％。在温度1390-1430℃烧结后得到低介电常数、低介电损耗的微波冶金透波陶瓷材料。该材料的介电常数为3～5、损耗角正切tanδ＜2×10-2。本发明采用的原料成本较低，合成温度较低，合成过程易于控制，环保无污染，适用于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101696105A | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200910095114.8 | 申请日期 | 2009.10.29 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | 发明人 | 彭金辉;支晓洁;郭胜惠;孟彬;张利波;张世敏;陈菓;李军 |
| 分类号 | C04B35/10(2006.01)I;C04B35/14(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆明慧翔专利事务所 53112 | 代理人 | 程韵波 |
| 主权项 | 一种微波冶金透波陶瓷材料，其特征在于：该材料原料的重量百分比配为MgO∶Al2O3∶SiO2∶纳米SiO2＝12～16％∶33～37％∶21～43％∶8～30％，总量为100％。 | ||
| 地址 | 650031 云南省昆明市五华区学府路253号 | ||