用以形成抗蚀图案的制程、半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系提供一用以形成一抗蚀图案的制程，该制程可甚至采用ArF受激准分子雷射光作为一图案化步骤中的曝露光，可加厚一抗蚀图案(譬如，一孔图案)而无论其尺寸，且可以高精密度降低一抗蚀空间图案的尺寸同时防止抗蚀图案形状的改变，藉以使此制程容易、便宜且有效率同时超越曝光装置的光源之曝光(解析度)极限。本发明之用以形成一抗蚀图案之制程系包括：形成一抗蚀图案；将一抗蚀图案加厚材料施加至抗蚀图案的一表面上方；加热抗蚀图案加厚材料以加厚抗蚀图案然后作显影；及加热已被加厚之抗蚀图案。