发明名称 METHOD FOR OBTAINING HIGH-PURITY SILICON
摘要 Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Gewinnung von hochreinem Silicium, umfassend das Verarbeiten einer Siliciumschmelze, wobei mindestens ein Teil der Siliciumschmelze mit einer SiO2-Oberfläche in Kontakt gebracht wird. Des Weiteren beschreibt die vorliegende Erfindung eine Anlage zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.
申请公布号 WO2012113461(A1) 申请公布日期 2012.08.30
申请号 WO2011EP53479 申请日期 2011.03.08
申请人 EVONIK DEGUSSA GMBH;LANG, JUERGEN ERWIN;RAULEDER, HARTWIG;FRINGS, BODO 发明人 LANG, JUERGEN ERWIN;RAULEDER, HARTWIG;FRINGS, BODO
分类号 C01B33/037 主分类号 C01B33/037
代理机构 代理人
主权项
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