| 发明名称 | 硅膜和锂二次电池 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够对大容量锂二次电池提供合适的电极的硅膜及其简便的制造方法。一种硅膜，其具有柱状集合体，所述柱状集合体是由Si或Si化合物构成的柱状结构体的集合体。上述硅膜的柱状结构体的直径为10～100nm，膜厚为0.2～100μm。一种硅膜的制造方法，其是使用由Si或Si化合物构成的蒸镀源在基板上蒸镀硅膜的硅膜的制造方法，蒸镀源的温度为1700K以上，基板温度比蒸镀源的温度低，并且蒸镀源的温度与基板温度之差为700K以上。上述硅膜的制造方法，其中，蒸镀源与基板之间的距离(D)比从基板的垂直方向所看到的基板的最小径(P)小。一种具有上述硅膜的电极。一种具有上述电极作为负极的锂二次电池。 | ||
| 申请公布号 | CN102652183A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201080056160.8 | 申请日期 | 2010.12.10 |
| 申请人 | 住友化学株式会社;国立大学法人东京大学 | 发明人 | 野田优;诸隈慎吾;山本武继 |
| 分类号 | C23C14/14(2006.01)I;H01M4/134(2006.01)I;H01M4/1395(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/66(2006.01)I;H01G9/058(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种硅膜，其具有柱状集合体，所述柱状集合体是由Si或Si化合物构成的柱状结构体的集合体。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||