使用编程数据高速缓存的闪存设备及其编程方法

摘要

一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。

主权项

一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元，所述方法包括：将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所选择的存储器单元彼此相邻并且被顺序编程，所述编程包括按照第一校验电压执行的第一校验读取操作；确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作，包括：基于随后编程的存储器单元的多位数据，确定随后要被编程的存储器单元是否会在所选择的存储器单元上导致耦合效应；以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元，其中重编程所选择的存储器单元包括按照第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。