| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法以及电源装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法以及电源装置。一种半导体器件，包括：设置在栅电极3和栅极绝缘膜2之间或者设置在含Al欧姆电极4和5与Au互连9之间并且在栅电极3之下和含Al欧姆电极4和5之上的电极材料扩散抑制层6，电极材料扩散抑制层6具有其中依次堆叠第一TaN层6A、Ta层6B和第二TaN层6C的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102651394A | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201210044579.2 | 申请日期 | 2012.02.23 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 鎌田阳一 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;董文国 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅电极；栅极绝缘膜；和设置在所述栅电极和所述栅极绝缘膜之间的包括依次堆叠的第一TaN层、Ta层和第二TaN层的电极材料扩散抑制层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||