| 发明名称 | 一种底栅薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种底栅薄膜晶体管，其有源层由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜生长在栅极上，该栅极具有V字型凹槽或V字型凸起，且栅极表面覆盖有栅极绝缘层，其特征在于，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN202405263U | 申请公布日期 | 2012.08.29 |
| 申请号 | CN201120577248.6 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 黄宇华;史亮亮;赵淑云 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 苗青盛;王凤华 |
| 主权项 | 一种底栅薄膜晶体管，其有源层由多晶硅薄膜构成，该多晶硅薄膜生长在栅极上，该栅极具有V字型凹槽或V字型凸起，且栅极表面覆盖有栅极绝缘层，其特征在于，部分多晶硅薄膜被掺杂，部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山工业园北园中路11号 | ||