发明名称 |
高强度低熔点合金及其制备方法 |
摘要 |
高强度低熔点合金及其制备方法。本发明属于制造巴氏轴瓦合金及低熔点合金模用的一种复合材料及其制备技术。本发明是先将熔点较高的第二组元金属熔化,再加入低熔点金属,在搅拌下进行原位反应,使低熔点金属与第二组元金属生成以金属键与共价键的混合键结合的金属间化合物。采用本技术制备的合金材料其力学性能(抗拉强度和硬度)有强烈提升,具备真正意义上的超高强度的特点。 |
申请公布号 |
CN101476054B |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN200910094010.5 |
申请日期 |
2009.01.05 |
申请人 |
昆明理工大学;昆明理工峰潮科技有限公司 |
发明人 |
孙勇;段永华;竺培显 |
分类号 |
C22C1/02(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/02(2006.01)I |
代理机构 |
昆明今威专利商标代理有限公司 53115 |
代理人 |
赵云 |
主权项 |
一种高强度低熔点合金,其特征是:由熔点为230℃~330℃的低熔点金属与能与其进行原位反应的第二组元金属反应所生成的金属间化合物组成,金属间化合物的化学键为金属键与共价键的混合键结合,且低熔点金属所占重量百分比为50%~70%,其余为第二组元金属;低熔点金属为Sn、Bi或Pb中的任一种,第二组元金属采用Ba、Ca、Li、Mg或稀土元素Dy、La、Y、Gd中的任一种;在所述金属间化合物中还添加了占总重5%~10%的Al元素。 |
地址 |
650093 云南省昆明市学府路253号昆明理工大学云南省新材料制备与加工重点实验室 |