发明名称 |
发光二极管结构 |
摘要 |
本发明涉及一种发光二极管结构,其依序设置一基板、一磊晶层、一透明导电层,磊晶层设于基板上方,透明导电层设于磊晶层上方,电流阻绝层设于磊晶层之中并位于透明导电层下方与基板的上方,磊晶层上方设有一第一金属电极,透明导电层上方设有一第二金属电极,电流阻绝层位于与该第二金属电极的下方。通过电流阻绝层以避免位于第二金属电极下方的磊晶层所发光线被吸收,进而增加发光二极管结构的发光效率。 |
申请公布号 |
CN102651437A |
申请公布日期 |
2012.08.29 |
申请号 |
CN201210018435.X |
申请日期 |
2012.01.16 |
申请人 |
新世纪光电股份有限公司 |
发明人 |
林子暘;赖育弘 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种发光二极管结构,其特征在于,包含:一基板;一磊晶层,设于该基板上方;一透明导电层,设于该磊晶层上方;以及一电流阻绝层,设于该磊晶层中并位于该透明导电层下方与该基板的上方;其中,该磊晶层上方设有一第一金属电极,该透明导电层上方设有一第二金属电极,该电流阻绝层位于与该第二金属电极的下方。 |
地址 |
中国台湾台南市台南科学园区大利三路5号 |