半导体装置的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法，该方法包括以下工序：将衬底装载到反应炉内的工序；在所述反应炉内，在所述衬底上进行成膜的工序；将成膜后的所述衬底从所述反应炉内卸载的工序；卸载所述衬底后，在所述反应炉内没有所述衬底的状态下，通过向以被覆所述反应炉的方式设置的绝热外壳和所述反应炉之间的空间内流入冷却介质，对所述反应炉内进行强制冷却，同时，通过向所述反应炉内部流入清洗用气体，对所述反应炉内进行气体清洗的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法包括以下工序：将衬底装载到反应炉内的工序；在所述反应炉内，在所述衬底上进行成膜的工序；将成膜后的所述衬底从所述反应炉内卸载的工序；卸载所述衬底后，在所述反应炉内没有所述衬底的状态下，通过向以被覆所述反应炉的方式设置的绝热外壳和所述反应炉之间的空间内流入冷却介质，对所述反应炉内进行强制冷却，同时，通过向所述反应炉内部流入清洗用气体，对所述反应炉内进行气体清洗的工序，在强制冷却所述反应炉内的工序中，向所述绝热外壳与所述反应炉之间的空间内流入冷却介质将所述反应炉内进行强制冷却，由此强制地使形成在所述反应炉内的堆积膜发生龟裂，此时，通过对所述反应炉内部进行气体清洗，将在发生所述龟裂时产生的颗粒排出至所述反应炉外。