| 发明名称 | 利用钝化后互连结构形成的硅通孔 | ||
| 摘要 | 本发明公开了利用钝化后互连结构形成硅通孔的集成电路结构，包括：半导体衬底；硅通孔(TSV)，延伸到半导体衬底中；焊盘，形成在半导体衬底上方，并与TSV隔开；以及互连结构，形成在半导体衬底上方，并电连接TSV和焊盘。该互连结构包括形成在焊盘上的上部和与焊盘相邻的下部，并且上部延伸以电连接TSV。 | ||
| 申请公布号 | CN101814477B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201010119558.3 | 申请日期 | 2010.02.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 曾明鸿;黃招胜 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 高雪琴 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，包括：半导体衬底；硅通孔TSV，延伸到所述半导体衬底中；焊盘，形成在所述半导体衬底上方，并与所述TSV隔开；以及互连结构，形成在所述半导体衬底上方，并电连接所述TSV和所述焊盘，其中，所述互连结构包括形成在所述焊盘上的上部和与所述焊盘相邻的下部，并且所述上部延伸以电连接所述TSV。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||