电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法

摘要

本发明公开了一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层；步骤2：在激光器区域制作布拉格光栅，然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层；步骤3：在外延片上刻蚀脊型光波导，使用He离子注入提高隔离区电阻，然后钝化及平坦化表面，最后制作p型和n型电极。本发明工艺简单，可靠性高，消除了热电子对激光器性能的影响，提高了激光器的特征温度，可实现对激光器和调制器一定程度的独立优化。

主权项

一种电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上同一次外延中先后生长n型磷化铟缓冲层、下波导外限制层、下波导内限制层、磷化铟隧穿势垒层、多量子阱有源层和上波导限制层；步骤2：在激光器区域的上波导限制层上制作布拉格光栅，然后大面积外延生长p型磷化铟光栅掩盖层、铟镓砷磷刻蚀停止层、p型磷化铟盖层和p+铟镓砷电极接触层；步骤3：在外延片上刻蚀脊型光波导，使用He离子注入提高隔离区电阻，然后钝化及平坦化表面，最后制作p型和n型电极；其中，步骤1中所述下波导内限制层在激光器区域作为电子注入量子阱增益区前的热化区，同时在调制器区域作为光吸收区，光荧光谱峰值波长在1450纳米至1500纳米之间；所述多量子阱有源层既是激光器的光增益区，又作为调制器的辅助的光吸收区，光荧光谱峰值波长在1530纳米至1540纳米之间；步骤3中所述钝化表面，是在清洗干净的外延片表面沉积一层厚度不超过500纳米的氧化硅或氮化硅；所述平坦化表面，是在经过钝化的表面上均匀涂覆上一层聚酰亚胺树脂PI或者苯并环丁烯树脂BCB，经过高温固化；步骤3中所述He离子注入，是通过光刻工艺，用光刻胶保护激光器区和调制器区，湿法腐蚀处于激光器区与调制器区中间的隔离区表面的所述p+铟镓砷电极接触层，然后经过He离子注入隔离区，提高隔离区电阻。