非易失性存储装置、非易失性存储器件及其制造方法

摘要

一种非易失性存储装置、非易失性存储器件及其制造方法，其中非易失性存储器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区；位于所述半导体衬底内的源区；位于所述半导体衬底内的漏区；位于所述半导体衬底内的第一沟道区，第一沟道区在所述源区的第一部分和所述漏区的第一部分之间延伸；位于所述半导体衬底内的第二沟道区，第二沟道区在所述源区的第二部分和所述漏区的第二部分之间延伸；覆盖第一沟道区的第一介电层；覆盖第二沟道区的第二介电层；覆盖第一沟道区之上的第一介电层的浮栅结构；位于所述浮栅结构之上的第三介电层；以及覆盖第二介电层和第三介电层的控制栅层。本发明能够提高较低尺度的非易失性存储器件的高可制造性产量。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区；位于所述半导体衬底内的源区；位于所述半导体衬底内的漏区；位于所述半导体衬底内的第一沟道区，第一沟道区在所述源区的第一部分和所述漏区的第一部分之间延伸；位于所述半导体衬底内的第二沟道区，第二沟道区在所述源区的第二部分和所述漏区的第二部分之间延伸；位于在所述半导体衬底内的第三沟道区，第三沟道区在所述源区的第三部分和所述漏区的第三部分之间延伸；覆盖第一沟道区的第一介电层；覆盖第二沟道区的第二介电层；覆盖第一沟道区的第一介电层之上的浮栅结构；位于所述浮栅结构之上的第三介电层；以及覆盖第二介电层和第三介电层的控制栅层，以及在第三沟道区之上的第四介电层，第四介电层在所述控制栅层的下面，其中，在所述非易失性存储器件的编程操作期间，第二沟道区向第一沟道区提供电载流子，第三沟道区向第一沟道区提供电载流子。