| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件制作方法和结构，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括边缘区域和中心区域，所述半导体衬底上顺次形成有垫氧化硅层和氮化硅层；去除所述边缘区域的氮化硅层、垫氧化硅层和部分厚度的半导体衬底，形成边缘开口；在中心区域形成隔离有源区的浅沟槽隔离槽；沉积二氧化硅层，所述二氧化硅层覆盖所述有源区、浅沟槽隔离槽和边缘开口；对所述二氧化硅层进行化学机械研磨，仅在所述浅沟槽隔离槽和边缘开口内留有剩余的二氧化硅层；去除剩余的氮化硅层和垫氧化硅层，形成浅沟槽隔离结构。由此能在半导体衬底的边缘区域保留一层二氧化硅层，有效缓冲后续形成的应力氮化硅层的应力，减少工艺缺陷，提高产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102646573A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201110039636.3 | 申请日期 | 2011.02.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 胡华勇;单朝杰 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括边缘区域和中心区域，所述半导体衬底上顺次形成有垫氧化硅层和氮化硅层；去除所述边缘区域的氮化硅层、垫氧化硅层和部分厚度的半导体衬底，形成边缘开口；在中心区域形成隔离有源区的浅沟槽隔离槽；沉积二氧化硅层，所述二氧化硅层覆盖有源区、浅沟槽隔离槽和边缘开口；对所述二氧化硅层进行化学机械研磨，仅在所述浅沟槽隔离槽和边缘开口内留有剩余的二氧化硅层；去除剩余的氮化硅层和垫氧化硅层，形成浅沟槽隔离结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||