| 发明名称 | 钝化光刻胶表面的方法以及光刻方法 | ||
| 摘要 | 一种钝化光刻胶表面的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成图形化的光刻胶层；对所述图形化的光刻胶层的表面进行等离子体处理以钝化其表面，通过光刻胶层表面的气体中含有氮气和氢气。本发明的优点在于，采用氮气和氢气所组成的等离子体对光刻胶进行钝化处理，在光刻胶层表面形成一层致密的钝化层，因此能够阻挡后续刻蚀工艺对光刻胶层的影响，延长其耐受蚀刻的时间，确保图形转移的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101930179B | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN200910053501.5 | 申请日期 | 2009.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王新鹏;黄怡;韩秋华;沈满华 |
| 分类号 | G03F7/16(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种钝化光刻胶表面的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成图形化的光刻胶层；将气体通过光刻胶层的表面并激发至等离子体，对所述图形化的光刻胶层的表面进行等离子体处理以钝化其表面；其特征在于，通过光刻胶层表面的气体中含有氮气和氢气。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||