| 发明名称 | 半导体装置及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。 | ||
| 申请公布号 | CN102646698A | 申请公布日期 | 2012.08.22 |
| 申请号 | CN201210130042.8 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大沼英人;饭洼阳一;山本孔明;牧野贤一郎;下村明久;比嘉荣二;沟井达也;永野庸治;井坂史人;挂端哲弥;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：绝缘衬底上的绝缘层；所述绝缘层上的接合层；以及所述接合层上的单晶半导体层，其中，所述单晶半导体层的上部表面的凹凸形状的均方根粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于10nm。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||