发明名称 LTE网络S1接口控制面CDR合成方法及合成装置
摘要 本发明请求保护一种LTE网络S1接口控制面CDR合成技术,涉及LTE通信网络信令监测技术领域。本发明结合3GPP标准规范,采集S1-MME接口的信令数据,解析出合成所需要的参数,采用超时管理机制对超时的CDR进行处理,确保合成的准确性,通过缓存器提高对数据操作的速度,以实现对S1接口CDR快速、有效的合成,进而达到S1-MME接口实时监测的目的,从而为LTE网络的建设和维护提供技术支撑。
申请公布号 CN102647734A 申请公布日期 2012.08.22
申请号 CN201210102771.2 申请日期 2012.04.10
申请人 重庆邮电大学;重庆中天重邮通信技术有限公司 发明人 雒江涛;杨叶;袁亮;李勇
分类号 H04W24/00(2009.01)I 主分类号 H04W24/00(2009.01)I
代理机构 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 代理人 刘小红;高敏
主权项 一种LTE网络S1接口控制面CDR合成装置,其特征在于:采集模块采集LTE网络中演进的基站eNB和移动性管理实体MME之间S1接口控制面的信令数据,预处理模块对消息进行编号,提取消息时间戳、配置信息;解码模块对消息进行逐层解码,获取关键信息,构建合成关键字key,根据key判断消息是否属于某一呼叫详细记录CDR;缓存器存储合成未结束的CDR,存储key与CDR编号CDRID和key与超时时间之间的映射关系;超时管理模块将消息时间与缓存器中各CDR的超时时间进行比较判定CDR是否超时,并对CDR进行相应处理;合成模块根据信令流程中不同消息之间的关联关系,将属于一次信令流程的S1接口控制面消息关联在一起,并生成CDR记录。
地址 400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号