一种导电插塞的形成方法

摘要

一种导电插塞的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成绝缘介质层，绝缘介质层内具有分立第一金属层，第一金属层表面与绝缘介质层表面齐平；在绝缘介质层和第一金属层上形成镍金属层；刻蚀镍金属层，形成开口，开口露出部分第一金属层表面；在刻蚀后的镍金属层表面以及侧壁形成石墨烯薄膜层；在石墨烯薄膜层及第一金属层和绝缘介质层上形成第一层间介质层；平坦化第一层间介质层及石墨烯薄膜层至露出镍金属层；刻蚀镍金属层和石墨烯薄膜层，形成与各分立第一金属层连通的导电插塞。本发明利用石墨烯材料良好的导电性能，制作石墨烯导电插塞，使半导体衬底上各个互连金属层间电学通路的导电性能更好，从而提高最终器件的质量和性能。

主权项

一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘介质层，所述绝缘介质层内具有分立第一金属层，第一金属层表面与绝缘介质层表面齐平；在所述绝缘介质层和第一金属层上形成镍金属层；刻蚀镍金属层，形成开口，所述开口露出部分第一金属层表面；在刻蚀后的镍金属层表面以及侧壁形成石墨烯薄膜层；在石墨烯薄膜层及所述第一金属层和绝缘介质层上形成第一层间介质层；平坦化所述第一层间介质层及石墨烯薄膜层至露出镍金属层；刻蚀所述镍金属层和所述石墨烯薄膜层，形成与各分立第一金属层连通的导电插塞。