摘要 |
本发明之目的在提供,透明性、蚀刻特性优良之低电阻透明导电膜,其原料溅镀标靶,及于基板上将该透明导电膜成膜之非晶质透明电极基板及其制造方法。至少由氧化铟及氧化锌所成之透明导电膜,其系含选自Re、Nb、W、Mo及Zr之一种或二种以上之第三金属,呈满足下述①式及②式之非晶质透明导电膜。0.75≦[In]/([In]+[Zn])≦0.95 ① 1.0×10-4≦[M]/([In]+[Zn]+[M])≦1.0×10-2②;其中[In]、[Zn]或[M]各自表示In之原子数、Zn之原子数或第三金属之原子数。该非晶质透明导电膜,为蚀刻时加工性优良之非晶质,具有低电阻率,且迁移率大。 |