| 摘要 |
本发明所提供者特别有关于减少龟裂、双晶化的倾向，提高结晶性的β-Ga2O3系单晶生长方法；可以形成高品质之薄膜单晶的薄膜单晶生长方法；在紫外区域发光的Ga2O3系发光元件及其制造方法。;利用红外线加热单晶制造装置，使晶种结晶及多晶体材料互相朝反方向旋转同时加热，再从a轴<100>方位、b轴<010>方位、及c轴<001>方位中选择一个方位，使β-Ga2O3朝该方位生长。;由β-Ga2O3单晶所组成的薄膜，系利用PLD法来成膜，即用雷射光照射于靶材，使构成靶材的原子激发，再利用热方式、光化学方式之作用，使Ga原子从靶材游离出来后，使游离的Ga原子与反应室中的环境气体之自由基结合，而使由β-Ga2O3单晶组成的薄膜，生长在由β-Ga2O3单晶组成的基板上。;发光元件中，添加n型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的n型基板；添加p型掺杂物于β-Ga2O3单晶后得到的p型层，再将该p型层接合于该n型基板的顶面，所以发光元件会在该接合部附近发光。 |
