| 摘要 |
<p>본 발명의 칼코제나이드 박막형 트랜지스터 및 그의 제작 방법은, 기판 상에 채널층을 구성하는 n형 칼코제나이드층을 형성하는 단계; n형 칼코제나이드층 상부에 확산 방지층을 형성하고, 확산 방지층을 패터닝하는 단계; 및 n형 칼코제나이드층에 Te합금을 증착하고 확산시켜 소오스 및 드레인 영역을 구성하는 p형 칼코제나이드층 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, n형 전도도를 갖는 칼코제나이드 소재와 p형 전도도를 갖는 칼코제나이드 소재를 이용하여 박막형 트랜지스터를 제작할 수 있게 된다.</p> |
