FILM FORMING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESS AND METHOD FOR USING THE SAME, AND COMPUTER READABLE MEDIUM
摘要
<p>반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 메탈 오염을 저감시키기 위해, 처리 용기 내의 내벽 및 제품용 피처리체를 유지하지 않는 유지 부재의 표면에 대해, 클리닝 가스를 사용하여 클리닝 처리를 행하는 공정과, 다음에 실리콘 소스 가스 및 질화 가스를 교대로 공급함으로써 실리콘 질화막의 피복 처리를 행하여, 처리 용기의 내벽 및 제품용 피처리체를 유지하지 않는 유지 부재의 표면을 실리콘 질화막에 의해 피복하는 공정을 구비한다.</p>
