<p>Die Erfindung betrifft Trench-Schottkydiode, welche ein hochdotiertes Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine auf das Substrat aufgebrachte Epischicht desselben Leitfähigkeitstyps aufweist. In die Epischicht sind mindestens zwei Gräben eingebracht. Die Epischicht ist eine Stufen-Epischicht, die zwei Teilschichten unterschiedlicher Dotierungskonzentration aufweist.</p>
