发明名称 |
一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,在基板上依次沉积透明导电层和第一金属层,利用第一多段式调整光罩对透明导电层和第一金属层进行图案化形成栅极、共通电极以及反射层,栅极包括透明导电层和第一金属层,共通电极包括透明导电层,反射层包括第一金属层;在基板上继续沉积栅绝缘层、半导体层,利用第二多段式调整光罩对栅绝缘层和半导体层进行图案化,保留位于栅极上方的半导体层,在基板上继续沉积第二金属层,利用第三多段式调整光罩对第二金属层图案化,在保留的半导体层上由第二金属层形成源极和漏极。本发明简化了工艺制程,降低了制作成本。 |
申请公布号 |
CN102637637A |
申请公布日期 |
2012.08.15 |
申请号 |
CN201210132082.6 |
申请日期 |
2012.04.28 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
黄华;贾沛 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
欧阳启明 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供基板;在所述基板上依次沉积透明导电层和第一金属层,利用第一多段式调整光罩对所述透明导电层和第一金属层进行图案化形成栅极、共通电极以及反射层,所述栅极包括透明导电层和第一金属层,所述共通电极由所述透明导电层形成,所述反射层由所述共通电极上的第一金属层形成;在所述基板上继续沉积栅绝缘层、半导体层,利用第二多段式调整光罩对栅绝缘层和半导体层进行图案化,保留位于所述栅极上方的半导体层;在所述基板上继续沉积第二金属层,利用第三多段式调整光罩对所述第二金属层图案化,在保留的半导体层上由第二金属层形成源极和漏极。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |