| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 经受脱水或脱氢的步骤和添加氧的步骤以使得载流子浓度小于1×1012/cm3的本征或基本上本征半导体用于其中形成沟道区的绝缘栅晶体管的氧化物半导体层。氧化物半导体层中形成的沟道的长度设置为0.2μm至3.0μm(包括两端)，以及氧化物半导体层和栅绝缘层的厚度分别设置为15nm至30nm(包括两端)和20nm至50nm(包括两端)或者分别为15nm至100nm(包括两端)和10nm至20nm(包括两端)。因此，能够抑制短沟道效应，并且阈值电压的变化量在上述沟道长度的范围之内能够小于0.5V。 | ||
| 申请公布号 | CN102640293A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201080053607.6 | 申请日期 | 2010.10.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;乡户宏充;河江大辅 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;朱海煜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅电极层；栅绝缘层，与所述栅电极层相邻；以及氧化物半导体层，与所述栅电极层相邻，所述栅绝缘层在所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间，其中所述氧化物半导体层的载流子浓度小于1×1012 /cm3，其中在所述氧化物半导体层中形成的沟道的长度为0.2 μm至3.0 μm，其中所述氧化物半导体层的厚度为15 nm至30 nm，以及其中所述栅绝缘层的厚度为20 nm至50 nm。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||