| 发明名称 | 化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102637734A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201210028773.1 | 申请日期 | 2012.02.09 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司;三垦电气株式会社 | 发明人 | 伊籐裕规;岩渕昭夫;施欣宏 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张劲松 |
| 主权项 | 一种化合物半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；氮化物半导体层，其具有载流子渡越层和载流子供给层，且配置于所述半导体衬底上；元件分离绝缘膜，其内部具有上端部位于所述载流子渡越层与所述载流子供给层的边界面的上方的空穴，并包围所述氮化物半导体层的周围而配置。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||