存储器阵列

摘要

一种存储器阵列，属于半导体技术领域，其包括若干存储器单元、位线以及与位线垂直的字线、第一/第二控制线。存储器阵列采用分栅式存储器单元，两个存储位单元共享使用同一个字线，从而可通过对字线，两个控制栅以及源漏极区域施加不同的工作电压实现对存储位单元的读取、编程和擦除，共享字线的结构使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片面积，同时也可以避免过擦除的问题，且并不增加工艺难度。

主权项

一种存储器阵列，包括：一个或多个存储器单元；若干形成于半导体衬底上的相互平行的位线，以及与所述位线垂直的若干字线；其中：每条所述位线上均连接相邻存储器单元的源极和漏极，而位于相邻位线之间的字线部分连接所述存储器单元的栅极；其特征在于，所述存储器单元为分栅式存储器单元，包括第一存储位单元和第二存储位单元，所述第一存储位单元位于所述字线与存储器单元源极之间，所述第二存储位单元位于所述字线与存储器单元漏极之间，且所述第一存储位单元和第二存储位单元分别包括第一控制栅和第二控制栅；所述存储器阵列还包括若干第一控制线和第二控制线，分别连接所述第一控制栅和第二控制栅，所述第一控制线和第二控制线分别位于同一字线两侧且与之平行。