发明名称 | 一种薰衣草扦插繁殖方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种薰衣草扦插繁殖方法。针对目前薰衣草结实率低,种子发芽和育苗繁育时间长,成活率低等问题,发明了一种采用薰衣草当年生植株作母穗的扦插繁殖方法,其步骤包括:配制扦插基质,插穗选取,生根剂处理、扦插、扦插培养条件、插后管理、移植和大田管理;对扦插基质进行优选,并将插条进行单杯单株扦插。本发明培育的扦插苗生根率达到了91%,根系发达,移栽成活率达100%。与薰衣草组织培养快繁方法相比,本发明具有操作简单,劳动量小,生长速度快,生根率高,且移栽成活率高,幼苗健壮等优点,具有较高的推广应用价值和广阔的发展前景。 | ||
申请公布号 | CN102630479A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
申请号 | CN201210155312.0 | 申请日期 | 2012.05.18 |
申请人 | 北京市农林科学院 | 发明人 | 孟林;田小霞;毛培春;陈淑燕 |
分类号 | A01G1/00(2006.01)I | 主分类号 | A01G1/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京五月天专利商标代理有限公司 11294 | 代理人 | 梁庆丰 |
主权项 | 一种薰衣草扦插繁殖方法,其特征在于,所述方法包括步骤:(1)配制扦插基质:将草炭、蛭石和园土混合均匀配制成扦插基质,每立方米扦插基质与重量百分比50%的多菌灵40~50g混匀消毒,装入营养杯内;(2)插穗选取:选择母株当年生半木质化的健壮枝条剪取7~9 cm至少带两个节的插穗,所述插穗下部距节部0.3~0.5 cm斜剪40°~50°,上部距节部0.3~0.5 cm剪平口;(3)生根剂处理:将插穗下端0~3 cm处先用消毒剂消毒,用清水洗净后再用生根粉处理;(4)扦插:将插穗下端插入扦插基质中,深度为2~3 cm;(5)扦插培养条件:全日照温室,温室昼/夜平均温度32℃±3℃/25℃±2℃,昼/夜空气平均相对湿度75%±5%/82%±3%;(6)插后管理:扦插后立即浇透水并覆膜,直至插穗生根后,逐渐加强通风和增加光照时间,最后撤去薄膜,始终保持土壤不积水;(7)移植:第二年春天选择阴天或晴天傍晚移植,将扦插苗营养杯从底部剥除移栽至挖好的小坑内,覆土后踩实,浇透定根水;(8)大田管理:保持土壤湿润。 | ||
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