单电荷隧道器件

摘要

一种单电子晶体管(1)具有形成在5nm厚的Ga0.98Mn0.02As层(4)中的伸长导电沟道(2)和侧栅极(3)。该单电子晶体管(1)可在第一模式下作为晶体管工作，及在第二模式下，作为非易失性存储器工作。

主权项

一种各向异性磁致电阻单电荷隧道器件，包括第一和第二引脚(8，9)；和导电岛(10)，其具有充电能，其被配置成电荷可通过该导电岛从第一引脚向第二引脚迁移；栅极(3)，用于改变导电岛的静电能；其中，所述第一引脚，第二引脚，岛和栅极中至少一个包括表现出强的自旋‑轨道耦合的铁磁材料，以使得所述第一引脚，第二引脚，岛和栅极中至少一个响应于磁化从第一方向旋转成与所述第一方向不平行或反平行的第二方向表现出化学势的至少充电能量级的至少1meV的变化，并且其中，所述第一引脚和/或第二引脚包括非铁磁材料。