| 发明名称 | 一种具有掩埋沟道的MOS晶体管形成方法 | ||
| 摘要 | 一种具有掩埋沟道的MOS晶体管形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有沟道外延层和第一外延层；在所述第一外延层表面形成栅极结构；在所述栅极结构两侧形成浅掺杂区；形成覆盖所述栅极结构的侧墙结构；在侧墙结构两侧的第一外延层表面形成补偿外延层；在侧墙结构两侧形成源区与漏区。通过本发明所提供的方法形成的具有掩埋沟道的MOS晶体管可以避免漏电流的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN102637601A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201110037806.4 | 申请日期 | 2011.02.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 涂火金;何永根 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种具有掩埋沟道的MOS晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有沟道外延层和第一外延层；在所述第一外延层表面形成栅极结构；形成覆盖所述栅极结构侧壁的侧墙结构；在侧墙结构两侧的第一外延层表面形成补偿外延层；在侧墙结构两侧形成源区与漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||