| 发明名称 | 最小化芯片边缘缺陷的方法及系统 | ||
| 摘要 | 一种配置相邻芯片的芯片相邻边的方法，该相邻芯片位于形成在半导体衬底层上的半导体芯片阵列中。所述芯片含有位于所述衬底层上的电路层。所述电路层具有电路层厚度，所述衬底层具有衬底层厚度。所述方法包括：沿芯片相邻边刻蚀形成沟道，该沟道深度超过电路层厚度；划透衬底层形成沟槽，该沟槽沿刻蚀沟道对准地被划刻，并且部分地包含所述沟道。 | ||
| 申请公布号 | CN102637640A | 申请公布日期 | 2012.08.15 |
| 申请号 | CN201110039439.1 | 申请日期 | 2011.02.09 |
| 申请人 | 达尔萨公司 | 发明人 | 列奥尼德·余·拉左夫斯基 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种配置相邻芯片的芯片相邻边的方法，所述相邻芯片位于形成在半导体衬底层上的半导体芯片阵列中，所述芯片阵列中的每一芯片包括设置于所述衬底层上的电路层，所述电路层具有电路层厚度，所述衬底层具有衬底层厚度，所述方法包括：沿芯片相邻边刻蚀沟道至超过所述电路层厚度的深度；以及划沟槽至穿透所述衬底层厚度的深度，所述沟槽沿所述刻蚀沟道对准地被划刻，并且部分地包含所述沟道。 | ||
| 地址 | 加拿大安大略省滑铁卢市 | ||