发明名称 多靶溅射源及沉积多层的方法
摘要 提供用于溅射的设备和方法,其对于溅射高磁化强度饱和度材料是有用的。在一个实施例中,多个溅射靶布置(1a,1b,2,3a,3b)同心排列,其中可以产生至少部分位地于各个靶布置之上的独立磁场。一个或多个靶布置可包括相应的上部(1a,3a)和下部(1b,3b),这些上部和下部相互分隔开但布置在基本上平行的平面内。方法包括从多个靶布置共溅射以在基底上产生溅射合金层,以及从不同靶布置交替地溅射以在基底上产生多个溅射层。
申请公布号 CN101720493B 申请公布日期 2012.08.15
申请号 CN200880020265.0 申请日期 2008.06.13
申请人 OC欧瑞康巴尔斯公司 发明人 H·罗尔曼
分类号 H01J37/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 主分类号 H01J37/34(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李娜;李家麟
主权项 一种溅射源,包括:第一靶布置(1a,1b)和第二靶布置(3a,3b);当从上方看时所述第二靶布置(3a,3b)放置在第一靶布置(1a,1b)周围;当从上方看时所述第一靶布置(1a,1b)包括由所述第二靶布置(3a,3b)的内边界区域围绕并离所述第二靶布置(3a,3b)的内边界区域一定距离的外边界区域;所述第一靶布置(1a,1b)包括第一上部(1a)和第一下部(1b),当从上方看时所述第一上部(1a)沿着所述第一靶布置(1a,1b)的外边界区域延伸并远离所述第一靶布置(1a,1b)的外边界区域;所述第一上部(1a)与所述第一下部(1b)分隔开,且所述第一上部和所述第一下部(1a,1b)基本上沿着平行的平面布置;所述第一上部(1a)在所述第一下部(1b)上方部分地突出;所述第二靶布置(3a,3b)包括第二上部(3a)和第二下部(3b),当从上方看时所述第二上部(3a)沿着所述第二靶布置(3a,3b)的内边界区域延伸并远离所述第二靶布置(3a,3b)的内边界区域;所述第二上部(3a)与所述第二下部(3b)隔开,且所述第二上部(3a)和所述第二下部(3b)基本上沿着平行的平面布置;所述第二上部(3a)在所述第二下部(3b)上方部分地突出;和用于产生磁场的装置,所述磁场产生装置用于产生分别至少部分地位于所述第一和第二靶布置之上的第一和第二磁场。
地址 列支敦士登巴尔策斯